X线强度与管电流的关系是

A:与管电流成正比 B:与管电流成反比 C:与管电流的平方成正比 D:与管电流的平方成反比 E:与管电流的三次方成正比

影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

关于连续X线的影响因素，叙述错误的是

A:强度与靶物质的原子序数成正比 B:不同靶物质的X线谱高能端重合 C:X线谱的最大光子能量只与管电压有关，与靶物质无关 D:不同靶物质的X线谱低能端重合 E:靶物质的原子序数越大，X线强度越小

影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

管电压对连续X线的影响正确的是

A:强度I与管电压(kV)的，n次方成反比 B:管电压升高，最短波长变长 C:管电压升高，最大强度所对应的波长向长波方向移动 D:最大光子能量等于高速电子碰撞靶物质的动能 E:强度与管电压无关

透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。

场效应管的作用是

A:产生电荷 B:存储电荷 C:开关 D:A/D转换 E:放大

X线强度与管电流的关系是 （）

A:与管电流成正比 B:与管电流成反比 C:与管电流的平方成正比 D:与管电流的平方成反比 E:与管电流的三次方成正比

X线强度与管电流的关系是

A:与管电流成正比 B:与管电流成反比 C:与管电流的平方成正比 D:与管电流的平方成反比 E:与管电流的三次方成正比

X线强度与管电流的关系是

A:与管电流成正比 B:与管电流成反比 C:与管电流的平方成正比 D:与管电流的平方成反比 E:与管电流的三次方成正比