高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释，错误的是

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

与X线产生无关的因素是

A:高速电子的动能 B:靶面物质 C:管电压 D:阴极加热电流 E:有效焦点大小

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。

这种条件下产生的X线的叙述，正确的是

A:具有各种频率 B:能量与电子能量成正比 C:称为特征X线 D:可发生在任何管电压 E:X线的能量等于两能级的和

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。

以下叙述错误的是

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:X线的质与高速电子的能量有关 C:X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高的X线的能量大 E:70kVp以下钨靶不产生

半导体中空穴电流是由（）

A:价电子填补空穴形成的 B:自由电子填补空穴形成的 C:空穴填补自由电子形成的 D:自由电子定向运动形成的

半导体中空穴电流是由（）

A:自由电子填补空穴所形成的 B:价电子填补空穴所形成的 C:自由电子定向运动所形成的 D:价电子的定向运动所形成的

半导体中空穴电流是由（）。

A:价电子填补空穴所形成的； B:自由电子填补空穴所形成的； C:自由电子定价运动所形成的； D:价电子的定向运动所形成的.

P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。

A:空穴 B:电子 C:光敏 D:热敏。

N型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定，所以称为（）型半导体。

A:空穴 B:电子 C:光敏 D:热敏。

P型半导体中，电子数目与空穴数目相比（）。

A:电子数多于空穴数 B:电子数少于空穴数 C:电子数等于空穴数 D:电子数与空穴数之比为3：2