NPN

对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。

A:朝集电极侧移动 B:朝发射极侧移动 C:不动 D:在基极处无序运动

对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。

A:集电极电流导通 B:基极电流导通 C:发射极电流导通 D:电流都不导通

在NPN型晶体管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（）。

A:晶体三极管将深度饱和； B:晶体三极管将截止； C:晶体三极管的集电极将是正偏。

NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）

A:集电极对发射极的电压VCE下降 B:基极电流增大 C:集电极对发射极的电压VCE上升

JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）。

A:限制集电极功耗 B:保护晶体管 C:把集电极电压变化转换为电流变化 D:限制集电极功耗，保护被测晶体管

为便于分析，可将晶闸管看成是由PNP和NPN两个三极管组合而成，阳极相当于（）。

A:NPN的基极 B:PNP的发射极 C:PNP的集电极 D:NPN的发射极

对NPN型管而言，集电极电位高于（）。

A:基极电位 B:发射极电位 C:即高于基极电位又高于发射极电位 D:任意

硅NPN型高频小功率三极管3DG4D，其中从左向右第一位D代表（）。

A:三极管 B:NPN硅材料 C:序号 D:规格号

硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。

A:三极管 B:NPN硅材料 C:高频小功率管 D:序号