滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。 滤线栅的指标： （1）栅比(R)：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。 （2）栅密度(n)：n表示在滤线栅表面上单位距离(1cm)内，铅条与其间距形成的线对数，常用线／cm表示。

关于滤线栅栅比的叙述正确的是

A:栅比越大，透过的散射线越少 B:栅比为铅条宽度与其高度之比 C:栅比为铅条高度与其宽度之比 D:栅比为单位距离内铅条的数目 E:栅比表示单位体积中铅的重量大小

滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。 滤线栅的指标： （1）栅比(R)：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。 （2）栅密度(n)：n表示在滤线栅表面上单位距离(1cm)内，铅条与其间距形成的线对数，常用线／cm表示。

关于滤线栅的叙述正确的是

A:栅密度越大，消除散射线的能力越差 B:栅比越大，消除散射线的能力越差 C:栅比为铅条宽度与其高度之比 D:曝光量倍数越小越好 E:使摄影条件减小

滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。 滤线栅的指标： （1）栅比(R)：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。 （2）栅密度(n)：n表示在滤线栅表面上单位距离(1cm)内，铅条与其间距形成的线对数，常用线／cm表示。

关于滤线栅使用注意事项的叙述，错误的是

A:将滤线栅置于焦点和被照体之间 B:焦点到滤线栅的距离与栅焦距相等 C:X线中心线对准滤线栅的中心 D:原射线投．射方向与滤线棚铅条排列间隙平行 E:原发X线与滤线栅铅条平行

结型场效应晶体管根据结构不同分为（）

A:P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B:P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管 C:N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D:N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）

A:结型场效应晶体管，简称JFET B:绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET C:结型场效应晶体管JGFET D:绝缘栅型场效应晶体管JGFET

场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。

绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

普通型和增强型电源系统的主要设备差异是（）

A:增强型中无EGIU1，EGIU2，APUGCU和GPCU B:普通型中无GAPCU C:增强型中无GAPCU D:以上A+B