（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。

A:半导体二极管； B:晶体三极管； C:场效应晶体管； D:双向晶闸管。

绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）

A:P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B:增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C:N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D:N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

单极型集成电路不包含（）.

A:普通晶体管（NPN管或PNP管） B:P沟道MOS管 C:N沟道MOS管 D:互补型MOS（即CMOS）

结型场效应管的类型有（）。

A:N沟道结型场效应管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:P沟道增强型MOS管 E:N沟道耗尽型MOS管 F:P沟道耗尽型MOS管

场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。

A:N沟道和P沟道 B:H沟道和P沟道 C:N沟道和H沟道 D:Y沟道和H沟道

上述哪一项是N沟道结型场效应管的夹断电压（）。

A:正  B:负  C:零  D:正负均可  E:CD选项均对

与电容器组相关的沟道，应符合下列( )规定。

A:__电容器室通向室外的沟道，在室内外交接处应采用防火封堵 B:电缆沟道的边缘对__电容器组柜(台)架外廓的距离不宜小于2m，引至电容器组处的电缆，应穿管敷设 C:低压电容器室内的沟道盖板，不应采用可燃材料制作 D:集合式并联电容器应设置储油池或挡油墙，并不得把浸渍剂和冷却油散逸到周围环境中