透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。

场效应管的作用是

A:产生电荷 B:存储电荷 C:开关 D:A/D转换 E:放大

MOS场效应管的英语缩写是（）。

A:“IGBT” B:“BJT” C:“GTO” D:“MOSFET”

电力场效应管MOSFET是（）器件。

A:双极型 B:多数载流子 C:少数载流子 D:无载流子

电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。

A:电压 B:电流 C:电阻 D:功率

电力场效应管MOSFET（）现象。

A:有二次击穿 B:无二次击穿 C:防止二次击穿 D:无静电击穿

场效应管的类型有（）。

A:结型场效应管 B:绝缘栅型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:P沟道增强型MOS管 E:N沟道耗尽型MOS管 F:P沟道耗尽型MOS管

电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

A:直流 B:低频 C:中频 D:高频