GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。

A:GTO和GTR； B:TRIAC和IGBT； C:MOSFET和IGBT； D:SCR和MOSFET；

简述功率MOSFET的特性。

功率MOSFET的保护技术有哪些？

功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

A:驱动信号的前后沿陡峭 B:驱动信号的电压应高于开启电压 C:信号电压应低于栅源击穿电压 D:截止时应加小于栅源击穿电压的电压

使用功率MOSFET时要注意（）。

A:防止静电击穿 B:防止二次击穿 C:MOSFET不能承受反压 D:栅源过电压保护

MOSFET适用于（）的高频电源。

A:8～50kHz B:50～200kHz C:50～400kHz D:100kW下

硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）

MOSFET适用于( )。

A:8～50kHz B:50～200kHz C:50～400kHz D:100kW以下