绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。

A:集电极 B:栅极 C:发射极 D:门极

绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。

A:GTO B:GTR C:二极管 D:GBT

绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。

A:GTO B:MOSFET C:IPM D:GBT

绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。

A:晶闸管 B:单结晶体管 C:电力场效应管 D:电力晶体管和电力场效应管

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。

A:栅极电流 B:发射极电流 C:栅极电压 D:发射极电压

绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。

A:稍高于 B:低于 C:等于 D:远高于

绝缘栅双极晶体管属于（）控制元件。

A:电压 B:电流 C:功率 D:频率

绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。

A:高 B:相同 C:低 D:不一定高

要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。

A:在栅极加正电压 B:在集电极加正电压 C:在栅极加负电压 D:在集电极加负电压

IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。

A:高输入阻抗 B:高速特性 C:大电流密度 D:所需驱动功率小 E:驱动电路简单