当可控硅导通后，下列（）说法是正确的。

A:电流逐步达到饱和值 B:去掉控制极电压，可控硅将截止 C:可控硅导通后，控制极将失去作用 D:将阳极电流减小到一定值时，可使可控硅截止 E:当阳极和阴极间加一反向电压，可使可控硅截止

如果可控硅导通后，下列说法中正确的有（）。

A:电流迅速达到饱和值 B:去掉控制极电压，可控硅将截止 C:控制极失去作用 D:将阳极电流减小到一定值时，可使可控硅截止 E:当阳极和阴极间加一反向电压，可使可控硅截止

（）极只起着促使可控硅导通的作用。

A:阴 B:阳 C:控制 D:发射极

可控硅回路电源接反会出现（）。

A:机构无力 B:机构失控 C:机构不动 D:机构有劲

GTO与可控硅的主要区别是（）

A:GTO没有控制极 B:可控硅电流大 C:可控硅在没导通前，控制极不起作用 D:GTO为可关断的可控硅

可控硅整流装置是靠改变（）来改变输出电压的。

A:交流电源电压 B:输出直流电流 C:可控硅触发控制角 D:负载大小

可控硅整流电路输出值的改变是通过（）来实现的。

A:调节可控硅导通角 B:调节触发电压大小 C:调节阳极电压的大小 D:调节限流电阻

可控硅导通以后，流过可控硅的电流决定于（）。

A:外电路的负载 B:可控硅的通态平均电流 C:可控硅A～K之间的电压 D:触发电压

可控硅中没有的极为（）。

A:阳极 B:阴极 C:控制极 D:基极