（）极只起着促使可控硅导通的作用。

A:阴 B:阳 C:控制 D:发射极

GTO与可控硅的主要区别是（）

A:GTO没有控制极 B:可控硅电流大 C:可控硅在没导通前，控制极不起作用 D:GTO为可关断的可控硅

单向可控硅可靠导通后，降低控制极电流，可控硅将（）。

A:仍然导通 B:永远导通 C:关断 D:视阳、阴极电压极性而定

可控硅导通以后，流过可控硅的电流决定于（）。

A:外电路的负载 B:可控硅的通态平均电流 C:可控硅A～K之间的电压 D:触发电压

可控硅的三个极分别称为（）。

A:基极、集电极、发射极 B:阳极、阴极、控制极 C:基极、集电极、控制极 D:阴极、阳极、基极

K表示可控硅的（）极。

A:阳 B:阴 C:控制 D:发射

电除尘整流柜内可控硅或可控硅保护元件击穿，是因为（）。

A:阻容吸收元件损坏 B:阻容吸收原件损坏，可控硅质量不良或安装不好 C:可控硅质量不良或安装不好 D:可控硅质量虽不良但安装正常

可控硅导通条件是 （ ） 。

A:阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B:阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压 C:阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压 D:阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压