高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释，错误的是

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

入射光子能量恰好等于原子轨道的结合能时，光电效应的发生几率发生以下哪种变化

A:突然减少 B:突然增大 C:变为零 D:变为10% E:无变化

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

与X线产生无关的因素是

A:高速电子的动能 B:靶面物质 C:管电压 D:阴极加热电流 E:有效焦点大小

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

与X线本质不同的是

A:无线电波 B:微波 C:超声波 D:红外线 E:γ射线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。
有关特征X线的解释，错误 的是

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。 有关特征X线的解释，错误的是（）

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线