某部位80kVp、40mAs、FFD=200cm获密度适当照片。若管电压不变，照射量改为10mAs，摄影距离应为

A:50cm B:75cm C:100cm D:125cm E:150cm

某部位80kV、40mAs、FFD=200cm获密度适当照片。管电压不变，照射量改为10mAs，摄影距离应为

A:50cm B:75cm C:100cm D:125cm E:150cm

自动探钎仪打钎机控制系统共有（）个深度计数，合计深度为200cm。

A:1 B:2 C:3 D:4

直径为200cm的餐桌应选择（）的台布。

A:200cm B:210cm C:220cm D:240cm

砂地基用容积不小于200cm³时，宜采用( )取样。

A:环刀法 B:灌砂法 C:蜡封法 D:灌水法

某部位80kVp，40mAs，FFD＝200cm获密度适当照片。管电压不变，照射量改为10mAs，摄影距离应为（）。

A:50cm B:75cm C:100cm D:125cm E:150cm

某部位FFD＝200cm，80kVp，40mAs获密度适当照片。管电压不变，照射量改为10mAs，摄影距离应为（）。

A:50cm B:75cm C:100cm D:125cm E:150cm

某部位摄影采用 80kVp 、 40mAs 、 FFD=200cm 获密度适当照 片。管电压不变，毫安秒改 为10mAs，摄影距离应为

A:50cm B:75cm C:100cm D:125cm E:150cm

为获取相同的照片密度值，焦 -片距从100cm增加至200cm，则所需的曝 光量为原曝光量的多少倍 （）

A:1／2 B:2 C:1／4 D:4 E:8