随射线LE、T增加，氧增强比（OE、R值（）

A:无变 B:上升 C:下降 D:与LT无关 E:先上升后下降

扩展数据存储器时，数据存储器芯片的/OE与单片机的（）相连。

OE纱是指的什么纱线？

D.OE的英文全称是（）；中文名称是：实验设计；又称：设计实验。

D.esignOfExperiment

9130BSC的NE1oE协议位于（）板和（）板之间。

A:LIU B:TP C:OMCP D:CCP

OE的启动方式通常有（）。

A:1种 B:2种 C:3种 D:4种

OE启动有（）方式。

A:1种 B:2种 C:3种 D:4种

OE窗口的组成包括（）。

A:1部分 B:3部分 C:5种 D:7种

磁现象的根源是（），磁场强度H的新旧单位换算关系是：1Oe=（）A/m³

随射线LE、T增加，氧增强比（OE、R值（）

A:无变  B:上升  C:下降  D:与LT无关  E:先上升后下降